| |
DFG830 |
| 可切削的晶片直径 |
最大为φ8"(φ6" - φ8")
 |
| 结构布置 |
2根主轴、2个工作盘(固定式) |
| 应用领域 |
减少TTV(平面度)偏差，双面自动研削 |
| 基本规格 |
| 研削方式 |
通过旋转晶片，实施纵向切入方式 |
| 主轴 |
使用主轴 |
高频电机内置式空气静压主轴 |
| 主轴数量 |
2 |
| 额定功率(kW) |
4.2 |
| 转速(min-1)[rpm] |
1,000 - 7,000 |
| Z轴行程(mm) |
110 |
Z轴研削进给速度
(mm/s) |
0.0001 - 0.08 |
| Z轴快速进给速度(mm/s) |
50 |
| Z轴最小指定移动量(um) |
0.1 |
| Z轴最小移动量(µm) |
0.1 |
| 厚度测量器 |
测量范围(µm) |
0 - 1,000 |
| 分辨率(µm) |
0.1 |
| 重复定位精度(µm) |
±0.5 |
| 晶片工作盘 |
工作盘式样 |
多孔陶瓷工作盘 |
| 固定方式 |
真空固定 |
| 转速 |
0 - 300 |
| 工作盘数量 |
2 |
| 工作盘清洗 |
利用刷子和油石，在水及压缩空气的喷射状态下进行清洗。 |
整面研削
(工作盘转速设定值) |
0 - 999 |
| 使用磨轮 |
金刚石研削磨轮(mm) |
φ200 |
| 晶片搬运部·清洗部 |
晶片盒架数量 |
4 |
| 晶片盒部流程模式 |
同盒回收流程 |
| 清洗装置 |
水清洗及干燥 |
| 真空装置 |
排气速度 |
29/36(m3/h) 50/60(Hz) |
| 到达压力(kPa・G) |
-90(在循环供水温度为15°C、供水流量为1L/min时) |
| 电动马达(kW) |
1.5 |
| 所需水流量(L/min) |
供水温度在22°C以上: 3/供水温度小于22°C: 1 |
| 加工精度 |
单片晶片内的厚度偏差(µm) |
1.5以下(
使用专用工作盘时、研削φ8"晶片时) |
| 晶片与晶片之间的厚度偏差(µm) |
±1.5以下 |
| 精加工后表面粗糙度(µm) |
Ry0.13使用(#2000磨轮进行精加工时)/Ry0.15使用(#1400磨轮进行精加工时) |
设备尺寸(WxDxH)
(mm) |
1,050 x 2,450 x 1,710 |
设备重量
(kg) |
约2,500 |
|
