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DGP8760
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DGP8761
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| 可加工的晶片直径 |
Max φ300mm |
| 基本规格 |
| 加工方式 |
Z1·Z2轴 |
通过旋转晶片实施纵向切入方式 |
| Z3轴 |
通过旋转晶片实施不规则纵向切入方式 |
| 主轴 |
使用主轴 |
高频电机内置式空气静压主轴 |
| 主轴数量 |
3 |
| 额定功率（kW） |
Z1·Z2轴 |
4.8 |
6.3 |
| Z3轴 |
7.5 |
6.3 |
| 转速(min-1)[rpm] |
Z1·Z2轴 |
1,000 - 4,000 |
| Z3轴 |
1,000 - 3,000 |
1,000 - 4,000 |
Z轴行程
（mm） |
Z1·Z2轴 |
120（附原点） |
| Z3轴 |
50 |
| Z轴研削进给速度（mm/s） |
0.0001 - 0.08 |
| Z轴快速进给速度（mm/s） |
50 |
| Z轴最小指定移动量(µm) |
0.1 |
| Z轴最小移动量(µm) |
0.1 |
| 晶片工作盘 |
工作盘式样 |
多孔陶瓷工作盘 |
| 固定方式 |
真空固定 |
| 转速(min-1)[rpm] |
0 - 300 |
0 - 800 |
| 工作盘数量 |
4 |
| 工作盘清洗 |
利用刷子和油石，在水及压缩空气的喷射状态下进行清洗 |
利用水气双流体装置和整平石，在水及压缩空气的喷射状态下进行清洗 |
| 晶片清洗 |
通过水气双流体喷头进行水清洗 |
整面研削
(工作盘转速设定值) |
0 - 999 |
| 使用磨轮 |
金刚石研削磨轮(mm) |
Z1·Z2轴 |
φ300 |
| 干式抛光磨轮(mm) |
Z3轴 |
φ450 |
| 晶片搬运部·清洗部 |
晶片盒架数量 |
2 |
| 晶片盒部流程模式 |
同盒回收流程和异盒回收流程 |
| 清洗装置 |
通过水气双流体喷头，进行水清洗及干燥 |
| 真空装置 |
排气速度 |
单台泵 |
26/34(m3/h) 50/60(Hz) |
| 真空装置 |
20/28(m3/h) 50/60(Hz) （在-70 kPa时） |
| 到达压力(kPa) |
-90（在循环供水温度为15℃、供水流量为1L/min时） |
| 电动马达（kW） |
1.5 |
| 用水量（L/min） |
2.0（在30℃以下时的所需水流量）
1.5（在25℃以下时的所需水流量）
1.0（在20℃以下时的所需水流量）
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| 加工精度 |
（使用专用工作盘时、在研削φ300 mm晶片时） |
| 单片晶片内的厚度偏差(µm) |
在3.0以下（只使用Z1轴･Z2轴进行研削时，在3.0以下） |
在2.0以下（只使用Z1轴･Z2轴进行研削时，在1.5以下） |
| 晶片之间的厚度偏差(µm) |
在±3.0以下（只使用Z1轴･Z2轴进行研削时，在±3.0以下） |
在±2.0以下（只使用Z1轴･Z2轴进行研削时，在±1.5以下） |
| 精加工面表面粗糙度(µm) |
在Ra0.005以下
只使用Z1轴･Z2轴进行研削时:
Ry0.13左右(使用#2000磨轮进行精加工时)/Ry0.15左右(使用#1400磨轮进行精加工时) |
设备尺寸(WxDxH)
(mm) |
1,690 x 3,450 x 1,800 |
设备重量
(kg) |
约5,100 |
约6,300 |
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