解决方案

DBG＋DAF激光切割

DBG(Dicing Before Grinding)^*1工艺利用研削来分割芯片，故能够降低背面崩裂，并能因此提高芯片抗折强度。另外，因为是在研削结束阶段分割成芯片，所以有望在加工薄形芯片时减小晶片破损的风险。今后如能在这种DBG工艺中采用DAF(Die Attach Film)^*2的话，也有可能在SiP（System in Package）等薄型芯片的叠层封装制造方面全面采用DBG工艺。
在DBG工艺中采用DAF时，需要在分割成芯片的晶片背面贴上DAF，并再次将DAF单独切割。这次我们向大家介绍利用激光全自动切割DAF的应用技术。

DBG (Dicing Before Grinding) :　这种技术将传统的“背面研削→晶片切断”的工艺倒过来，先将晶片半切割，然后利用背面研削进行芯片分割。

DAF (Die Attach Film) :　这是一种薄膜状的接合材料，用于薄型芯片叠层等。

应用技术

在DBG加工后，用磨轮刀片来切割DAF时，目前以下几个方面的课题有待解决。

<DBG工艺中利用磨轮刀片切割DAF时的课题>

芯片的整列性
粘贴切割胶带、剥离表面保护胶带时，有时会出现芯片错位（切割槽偏移）。如果芯片的错位量很大，则有可能无法确保正确的刀片切割道。

刀片的刃宽
因为需要比切割槽宽度（芯片间的距离）更薄的刀片，所以加工要求很高。

加工速度
为了保证切割后DAF有良好的质量，有时难以进行高速加工。

但是，采用在DBG加工后利用激光切割DAF的应用技术，则可以解决加工时芯片错位的问题，并能提高加工速度。

DBG＋DAF激光切割的工艺

将DBG加工后的晶片转放到框架上，剥离掉表面保护胶带后，从晶片表面一侧对DAF进行全切割。晶片已经分离成了芯片，所以就可以从芯片间照射激光，只将DAF切断。

DAF激光切割的优点

	可改善DAF的加工质量
	采用激光切割技术可以抑制采用磨轮刀片切割DAF时产生的毛边。

图1. 表面一侧SEM照片　DAF激光切割
（70µmSi + 20µmDAF）

	能够进行高速切割，提高生产效率
	与磨轮刀片切割相比，可以提高DAF全自动切割时的加工速度。加工实例：　加工进给速度100mm/sec ～ 300mm/sec，以1pass进行DAF切割（加工条件因DAF的种类、DAF的厚度、晶片厚度和切割槽宽度等的不同而有所变化。）

	利用特殊校准，可以解决芯片错位问题
	即使在DBG加工后的晶片上出现了芯片错位，也能够通过采用特殊校准进行跟随芯片错位的加工。根据各加工线上的每个校准点，记忆切割槽中心的位置，并用激光对其中心进行切割。