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DFG8540
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DFG8560
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| 可研磨的晶片直徑 |
Max ø8"(ø4" - ø8") |
Max ø300(ø8" - ø12") |
| 結構配置 |
2根主軸、3個工作盤(公轉台方式) |
| 應用領域 |
100 µm以下的超薄研磨 |
| 基本規格 |
| 研磨方式 |
利用晶片旋轉，進行縱向切入方式 |
| 主軸 |
使用主軸 |
高頻馬達內裝式空氣靜壓主軸 |
| 主軸數量 |
2 |
| 額定功率(kW) |
4.2 |
4.8 |
| 轉速(min-1)[rpm] |
1,000 - 7,000 |
1,000 - 4,000 |
| Z軸行程(mm) |
120(附原點) |
Z軸研磨進刀速度
(mm/s) |
0.0001 - 0.08 |
| Z軸快速移動速度(mm/s) |
50 |
| Z軸最小指定移動量(µm) |
0.1 |
| Z軸最小移動量(µm) |
0.1 |
| 厚度測量器 |
測量範圍(µm) |
0 - 1,800 |
| 分辨率(µm) |
0.1 |
| 重復定位精度(µm) |
±0.5 |
| 晶片工作盤 |
工作盤樣式 |
多孔陶瓷工作盤 |
| 固定方式 |
真空式 |
| 轉速 |
0 - 300 |
| 工作盤數量 |
3 |
| 工作盤清洗 |
利用刷子和油石, 配合工作盤內水及壓縮空氣混合噴出狀態下進行清洗。 |
整面研磨
(工作盤轉速設定值) |
0 - 999 |
| 使用研磨輪 |
金剛石研磨輪(mm) |
ø200 |
ø300 |
| 晶片搬運部・清洗部 |
晶片盒架數量 |
2 |
| 晶片盒部流程模式 |
同盒回收流程(Same flow)以及異盒回收流程(Open flow) |
| 清洗裝置 |
水清洗及乾燥 |
| 真空裝置 |
排氣速度(m3/h) |
29/36(m3/h) 50/60(Hz) |
| 到達壓力(kPa・G) |
-90(在循環供水溫度為15℃，供水流量為1L/min時) |
| 電動馬達(kW) |
1.5 |
| 用水量(L/min) |
供水溫度在22℃以上: 3/供水溫度小於22℃: 1 |
| 加工精度 |
單片晶片內的厚度偏差(µm) |
1.5以下(使用專用工作盤、研磨ø8"晶片時) |
| 晶片與晶片之間的厚度偏差(µm) |
±3以下 |
| 精加工後表面粗糙度(µm) |
Ry 0.13左右(使用#2000研磨輪進行精加工時) /
Ry 0.15左右(使用#1400研磨輪進行精加工時)
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設備尺寸(WxDxH)
(mm) |
1,200 x 2,670 x 1,800 |
1,400 x 3,322 x 1,800 |
設備重量
(kg) |
約3,100 |
約4,000 |
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