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DAG810
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| 可研磨的晶片直徑 |
最大為ø8" (採用通用工作盤時，晶片直徑為 ø4"-ø8") |
| 基本規格 |
| 研磨方式 |
利用晶片旋轉，實施縱向切入方式 |
| 主軸 |
使用主軸 |
高頻馬達內置式空氣靜壓主軸 |
| 主軸數量 |
1 |
| 額定功率(kW) |
4.2 |
| 轉速 |
1,000 - 7,000 |
| Z軸行程 |
120(附原點) |
| Z軸研磨進刀速度 |
0.0001 - 0.05 |
| Z軸快速移動速度 |
50 |
| Z軸最小指定移動量 |
0.1 |
| Z軸最小移動量 |
0.1 |
| 晶片工作盤 |
工作盤樣式 |
多孔陶瓷工作盤 |
| 固定方式 |
真空式 |
| 轉速(min-1)[rpm] |
0 - 300 |
| 工作盤數量 |
1 |
整面研磨
(工作盤轉速設定值) |
0 - 999 |
| Y軸行程(mm) |
430 |
| Y軸研磨進刀速度(mm/s) |
0.001 - 50 |
| Y軸快速移動速度(mm/s) |
200 |
| Y軸最小指定移動速度(mm) |
0.01 |
| Y軸最小移動量(mm) |
0.01 |
| 使用研磨輪 |
金剛石研磨輪(mm) |
ø200 |
| 加工精度 |
單片晶片內的厚度偏差(µm) |
1.5以下(使用專用工作盤時) |
| 晶片與晶片之間的厚度偏差(µm) |
±3以下 |
| 精加工後表面粗糙度(µm) |
Ry 0.13左右(使用#2000研磨輪進行精加工時) /
Ry 0.15左右(使用#1400研磨輪進行精加工時) |
設備尺寸(WxDxH)
(mm) |
600 x 1,700 x 1,780 |
設備重量
(kg) |
約1,300 |
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