| |
DGP8760
 |
DGP8761
|
 |
|
|
| 可加工的晶片直徑 |
Max ø300mm |
| 基本規格 |
| 加工方式 |
Z1·Z2軸 |
利用晶片旋轉實施縱向切入方式 |
| Z3軸 |
利用晶片旋轉實施不規則縱向切入方式 |
| 主軸 |
使用主軸 |
高頻馬達內置式
空氣靜壓主軸 |
| 主軸數量 |
3 |
| 額定功率(kW) |
Z1·Z2軸 |
4.8 |
6.3 |
| Z3軸 |
7.5 |
6.3 |
| 轉速(min-1)[rpm] |
Z1·Z2軸 |
1,000 - 4,000 |
| Z3軸 |
1,000 - 3,000 |
1,000 - 4,000 |
Z軸行程
(mm) |
Z1·Z2軸 |
120(附原點) |
| Z3軸 |
50 |
| Z軸研磨進刀速度(mm/s) |
0.0001 - 0.08 |
| Z軸快速移動速度(mm/s) |
50 |
| Z軸最小指定移動量(µm) |
0.1 |
| Z軸最小移動量(µm) |
0.1 |
| 晶片工作盤 |
工作盤樣式 |
多孔陶瓷工作盤 |
| 固定方式 |
真空式 |
| 轉速(min-1)[rpm] |
0 - 300 |
0 - 800 |
| 工作盤數量 |
4 |
| 工作盤清洗 |
利用刷子和油石，配合工作盤內水及壓縮空氣混合噴出狀態下進行清洗 |
利用水氣雙流體裝置與整平石，配合水及壓縮空氣的回流進行清洗 |
| 晶片清洗 |
利用水氣雙流體噴頭進行水清洗 |
整面研磨
(工作盤轉速設定值) |
0 - 999 |
| 使用研磨輪 |
金剛石研磨輪(mm) |
Z1·Z2軸 |
ø300 |
| 乾式拋光磨輪(mm) |
Z3軸 |
ø450 |
| 晶片搬運部・清洗部 |
晶片盒架數量 |
2 |
| 晶片盒部流程模式 |
同盒回收流程(Same flow)和異盒回收流程(Open flow) |
| 清洗裝置 |
通過水氣雙流體噴頭，進行水清洗及乾燥 |
| 真空裝置 |
排氣速度 |
單台 |
26/34(m3/h) 50/60(Hz) |
| 真空泵裝置 |
20/28(m3/h) 50/60(Hz) (在-70 kPa時) |
| 到達壓力(kPa) |
-90(在循環供水溫度為15℃、供水流量為1L/min時) |
| 電動馬達(kW) |
1.5 |
| 用水量(L/min) |
2.0(在30℃以下時的用水量)
1.5(在25℃以下時的用水量)
1.0(在20℃以下時的用水量)
|
| 加工精度 |
(使用專用工作盤時、在研磨ø300 mm晶片時) |
| 單片晶片內的厚度偏差(µm) |
在3.0以下(只使用Z1軸･Z2軸進行研磨時，在3.0以下) |
在2.0以下(只使用Z1軸･Z2軸進行研磨時，在1.5以下) |
| 晶片與晶片之間的厚度偏差(µm) |
在±3.0以下(只使用Z1軸･Z2軸進行研磨時，在±3.0以下) |
在±2.0以下(只使用Z1軸･Z2軸進行研磨時，在±1.5以下) |
| 精加工後表面粗糙度(µm) |
在Ra0.005以下
只使用Z1軸･Z2軸進行研磨
Ry0.13左右(使用#2000研磨輪進行精加工時) /
Ry0.15左右(使用#1400研磨輪進行精加工時) |
設備尺寸(WxDxH)
(mm) |
1,690 x 3,450 x 1,800 |
設備重量
(kg) |
約5,100 |
約6,300 |
|
