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解決方案
消除應力方法(乾式拋光法)
近年來，隨著電腦、手機等電子產品中的IC半導體封裝元件越來越趨向於小型化、高集成化，市場也要求半導體封裝元件中的電子元器件朝著更小型化、更薄型化方向發展。但是，由於對電子元件晶片實施薄型化加工，會造成晶粒因強度降低而在組裝工程中出現破損、以及因翹曲增大而使層疊式封裝元件的接線頭接合變得困難。因此、為了消除上述的各種不良因素，有效地改善加工品質，可以考慮在研磨加工工程後導入應力消除加工方法。
應力消除加工方法，主要有以下4種，在這裡將具體介紹乾式拋光法
乾式拋光法
CMP(Chemical Mechanical Polishing)
濕式蝕刻法
乾式蝕刻法
圖1. 應力消除方法概要
應用技術
經通在背面研磨加工製程中加入乾式拋光工程，除去因研磨加工而產生的研磨變質層，能夠進一步提高晶片的抗折強度。使用乾式拋光，主要可獲得以下3種效果。
(1)背面的鏡面化
(2)翹曲量的減少
(3)抗折強度的提高
如圖2所示，以球壓式抗折強度的測試結果作為去除研磨變質層的加工指標，本公司建議去除量為2µm。
圖2. 乾式拋光去除量和球壓式抗折強度的關係
設備
已經形成一組功能完整的產品系列，具有良好的擴展性和廣泛的應用性。可滿足客戶不同的使用環境和加工要求。
DFP8140
DFP8160
DGP8760
拋光輪
運用迪思科公司獨特的技術，開發出應力消除專用的乾式拋光輪。
(特點)
- 無金剛石磨粒
無研磨痕加工
- 固定磨粒拋光輪
不使用化學研磨液等藥液=對環境污染小，可只使用拋光輪進行加工。
- 乾式加工
由於在加工過程中，不使用水和化學研磨液，所以能夠降低客戶的運行成本。
乾式拋光輪
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