近年、コンピュータや携帯電話などに搭載されるICパッケージの小型化・高密度化に伴って、パッケージ内のデバイスにも小型化・薄化が求められてきています。デバイスウェーハを薄化することによって、チップ強度が弱まりアセンブリ工程で割れが発生したり、反り量が増大してスタックパッケージのダイボンディングなどが困難になることがあります。これらを改善する手法として、グラインディング工程後にストレスリリーフを導入する方法が考えられています。
ストレスリリーフとしては、主に以下の4手法がありますが、ここではドライポリッシングについてご紹介いたします。
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| ドライポリッシング |
CMP(Chemical Mechanical Polishing) |
ウェットエッチング |
ドライエッチング |
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図1. ストレスリリーフ概要 |
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アプリケーション
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バックグラインディングプロセスにドライポリッシング工程を追加することにより、グラインディングによる研削ダメージが除去され、更なる抗折強度の向上が可能となります。ドライポリッシング工程により、主に以下の3つの効果が得られます。 |
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① 裏面の鏡面化
② 反り量の低減
③ 抗折強度向上 |
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図2.に示すように、グラインディングのダメージ除去の指標となる抗折強度（球抗折）の結果から、2µm除去を推奨しております。 |
| 図2. ドライポリッシング除去量違いによる球杭折強度 |
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装置
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お客様の使用環境に合わせることのできる高い拡張性と、幅広いアプリケーションを実現させる機能を備えたラインアップを取り揃えています。 |
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砥石
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ディスコ独自の技術によって開発したストレスリリーフ用のドライポリッシングホイールです。 |
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