블레이드 강도 향상으로, 고부하 가공에서도 안정적인 품질을 제공하는 ZHRF시리즈
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신기술을 채용하여, 종래의 허브 블레이드와 비교하여 블레이드 강도를 더욱 향상. 고속가공, 두꺼운 웨이퍼, 스트리트상에 금속이 많은 웨이퍼 등, 고부하 조건하에서도 블레이드의 사선절삭을 최소한으로 억제, 안정적인 가공결과를 기대할 수 있습니다. 또한, 저 유전율(Low-k)막 웨이퍼의 가공에 있어서, 레이저 그루빙과의 조합으로 표면 칩핑, 막박리없이 고속절단이 가능합니다. |
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 허브 블레이드 취급 안전시트 |
특 징
- 고부하 가공에 있어서, 안정된 가공성능을 발휘
- 레이저 그루빙 후의 웨이퍼 고속절단을 실현
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블레이드 강도 비교
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| 종래의 제품과 비교하여, ZHRF시리즈는 강도가 향상되어 있는 것을 알 수 있습니다. |
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가공 대상
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실리콘 웨이퍼, 기타 |
장착 가능장치
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풀 오토매틱 다이싱쏘: 6000시리즈, 600시리즈
세미 오토매틱 다이싱쏘: 3000시리즈, 300시리즈, 500시리즈 |
사 양
ZHRF시리즈는 종래 제품과 비교하여 블레이드 강도를 향상시켜, 고부하 가공에서도 사선절삭을 억제하고 안정된 가공이 가능하게 되었습니다.
사선절삭량 비교
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<측정위치>
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| Wafer |
: |
Si + Cu layer 2µm |
| Depth |
: |
200µm (half cut) |
| Speed |
: |
150mm/s |
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가공 홈 사진
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Current |
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탈선(지그재그)발생 저감
ZHRF시리즈는 사선절삭뿐만 아니라, 고부하이며 고회전 수 조건하에서의 탈선 절삭도 억제하여, 안정된 가공이 가능하게 되었습니다.
New |
Current |
| * 이 평가는 의도적으로 탈선이 발생하기 쉬운 조건하에서 실행하였습니다. |
| Wafer |
: |
Si |
| Depth |
: |
400µm (half cut) |
| Speed |
: |
80mm/s |
| Spindle rpm |
: |
55000mm/s |
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