在背面研削中，追求高品质加工的新型磨轮Poligrind（抛光性研削磨轮）
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在迪思科公司的背面研削用磨轮产品群中又新增加了Poligrind（抛光研削磨轮）产品。通过在纵向切入式研削机的精研削加工轴（Z2轴）上采用Poligrind（抛光研削磨轮），在不需要增加新设备及改变现有生产工艺的条件下，就可改善晶片的精加工表面粗糙度和抗折强度、从而获得更高的加工品质。 |
特 点
- 能够在现有的纵向切入式研削机上安装使用。
- 能够在不改变现有加工工艺的条件下，提高抗折强度等加工品质。
- 通过采用精细磨粒，获得高品质的精加工表面。
- 通过采用新开发的结合剂，能够适用于高负荷研削加工。
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加工对象
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硅晶片、其他材料 |
适用设备
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研削机：DAG800系列、DFG800系列、DFG8000系列、DGP8000系列 |
用户在使用Poligrind（抛光研削磨轮）时请注意
为了获得更高的加工品质，需要重新设定最佳加工条件。为此本公司的应用技术工程师将根据用户的工件和加工要求，竭诚为客户提供最佳加工方案。 |
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规 格
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备注） 尽管已经采用Poligrind的新产品名称，但是旧产品名称仍可继续利用。 |
通过采用精细磨粒和新开发的结合剂，与原来的Z2轴（精研削加工轴）用磨轮相比较，能够获得更优良的抗折强度和表面粗糙度。
抗折强度（球压式抗折强度测量法）
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| 加工物 |
： φ8" 镜面硅晶片 |
| Z2轴研削去除量 |
： 35 µm |
| 最终成品厚度 |
： 200µm |
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翘曲度
| Z2轴用研削磨轮 |
Poligrind |
#2000 B-K09 |
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| 翘曲度 |
3.5mm |
14.0mm |
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| 加工物 |
： φ8" 镜面硅晶片 |
| Z2轴研削去除量 |
： 35µm |
| 最终成品厚度 |
： 50µm |
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表面粗糙度
| Z2轴用研削磨轮 |
Poligrind |
#2000 B-K09 |
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| Ra(µm) |
0.0141 |
0.0240 |
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| Rmax(µm) |
0.1153 |
0.1734 |
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| 加工物 |
： φ8" 镜面硅晶片 |
| Z2轴研削去除量 |
： 35µm |
| 测量部位 |
： 晶片的中心部 |
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