SiC器件晶圆的研削
解决方案
SiC晶圆（silicon carbide，碳化硅）作为高耐压、低功率损耗的半导体材料，广泛用于功率器件。 SiC功率器件一般具有垂直型器件结构，通过减薄其晶圆的厚度可以降低衬底基板的电阻从而提高能量转换效率。 但相较于Si，SiC硬度更高是众所周知的难以研削的材料，减薄加工需要使用专用的工艺和磨轮。
SiC减薄工艺事例
双轴加工
粗研削/精研削的双轴研削工艺
通过四轴加工提高产能
将瓶颈加工时间的粗研削分散，重视提高产能的工艺
通过干抛工艺提高加工品质
双轴研削后进行干抛，重视提高加工品质的工艺
SiC晶圆加工示例
SiC晶圆面状态对比（SEM画面）
对比标准加工条件时的晶圆状态。
按粗研削、精研削、干抛的顺序，晶圆面的状态逐渐良好。
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粗研削后
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精研削后
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干抛后
SiC晶圆抗弯强度对比
对比标准加工条件时，精研削后和干抛后的抗弯强度。
干抛后的抗弯强度有明显提高。
抗弯强度可能会根据晶圆和加工条件不同有所差异。
| 测量条件: | |
| 加工wafer | 6-inch SiC wafer |
| 精研削厚度 | 0.15 mm |
| Chip size | 10 mm × 10 mm |
| 测试方法 | 球式抗弯测试 |
推荐磨轮
针对SiC晶圆的磨轮 「GFSC系列」
因为SiC硬度高，难以进行高品质的稳定研削加工，所以需要研削性高的磨轮。
GFSC系列磨轮在SiC晶圆的粗研削/精研削中，通过减少研削负荷实现稳定加工，有望可以提高加工品质和磨轮寿命。
对应SiC晶圆加工设备
为满足客户对产能和加工品质的各项要求，DISCO配备了丰富的设备阵容。
